Intel и Samsung увеличили объемы заказов на литографическое оборудование ASML

По имеющимся данным о заказах и спросе, компания ASML рассчитывает в 2027 году поставить десять установок литографического оборудования High-NA EUV и пятьдесят шесть установок EUV.

Intel и Samsung недавно нарастили объём заказов на литографическое оборудование. В частности, Intel увеличила количество заказанных High-NA EUV-систем с 1 до 2 единицы, а EUV-систем – с 3 до 5 единиц. Samsung также увеличила количество заказанных EUV-систем с 5 до 7 единиц. Следует также упомянуть компанию SK Hynix, которая получит от ASML 20 машин для EUV-литографии в 2027 году, и она также увеличила объём заказа High-NA EUV с 1 до 2 комплекта. Помимо этого, появились сведения о том, что SK Hynix планирует установить 20 EUV-установок в течение следующих двух лет, все они предназначены для производства HBM и современных решений для хранения данных.

В связи с активным развитием искусственного интеллекта наблюдается стимуляция полупроводниковой отрасли, поэтому инвестиционные организации сохраняют позитивный настрой в отношении перспектив спроса на продукцию ASML. Это связано с тем, что полупроводники, используемые в системах искусственного интеллекта, обычно требуют применения самых современных технологий производства. Несмотря на то, что ряд производителей полупроводников перенесли сроки внедрения High-NA EUV следующего поколения, общий объем спроса на оборудование продолжает увеличиваться.

По имеющимся данным, литографическая система High NA EUV, имеющая размеры, сопоставимые с двухэтажного автобуса, может весить до 150 тонн. В собранном состоянии она больше, чем грузовик, и для перевозки требует упаковки в 250 отдельных контейнеров. Предполагается, что в работе над установкой будут задействованы 250 инженеров, а сам процесс займет шесть месяцев.

По имеющимся сведениям, цена одного High NA EUV составляет 350 миллионов евро. Для трёх крупнейших мировых производителей пластин это оборудование станет ключевым инструментом для масштабного производства с использованием технологий, превосходящих 2 нм.