DigitalArtSpace

Специалисты из Нанкинского университета аэронавтики и астронавтики, расположенного в Китае, создали принципиально новый ферроэлектрический транзистор, размеры которого составляют всего несколько атомов. В его конструкции применяются многослойные материалы, а именно графен и гексагональный нитрид бора (hBN), формирующие специфический узор, напоминающий мозаику.

Ключевым преимуществом является способность сохранять до 3 024 различных состояний поляризации, что превышает возможности предыдущих моделей в два раза. Такая функциональность обеспечивается благодаря смещению слоёв относительно друг друга и прецизионному управлению электрическими импульсами.

Транзистор продемонстрировал устойчивость состояний в течение более чем 100 000 секунд и успешно прошел испытания, связанные с задачами искусственного интеллекта. В процессе распознавания изображений достигнута точность в 93%. Устройство функционирует как при обычной, так и при повышенной температуре, а его незатейливая конструкция упрощает увеличение производства.

Эти транзисторы способны послужить фундаментом для создания энергосберегающих нейроморфных микросхем, воспроизводящих принципы функционирования мозга, а также для разработки инновационных типов памяти. В дальнейшем исследователи намерены усовершенствовать технологию для массового производства и увеличить скорость реакции.

Похожие статьи

Новый алгоритм Дарвина-Гёделя учит искусственный интеллект самостоятельно программировать.

В США производят эффективные процессоры: тайванские чипы TSMC возвращаются на родину для завершения производства.

В продаже — новая Lada Granta с увеличенным дорожным просветом

Новые модели Kia могут появиться на российском рынке.

Недорогой аналог Toyota Camry с пробегом более 2000 км завоевал популярность

Рамный внедорожник BAW 212 T01 с мощным двигателем: «Китайский УАЗ» с комфортом.