DigitalArtSpace

Samsung планирует выпускать часть памяти HBM с использованием передового 2-нанометрового техпроцесса, чтобы предложить более конкурентоспособный продукт по сравнению с решениями, разработанными Hynix и Micron.

Прежде всего, следует отметить, что мы говорим о производстве логических микросхем, которые применяются при создании стеков HBM. Эти микросхемы являются ключевым элементом стека и отвечают за его управление. С появлением HBM4, которая будет интегрирована в ускорители для искусственного интеллекта уже в текущем году, логические микросхемы выпускаются с использованием литейного процесса, а не традиционного метода производства DRAM.

В отношении технологического процесса, как пример, логическая микросхема HBM4 от Samsung, по имеющимся данным, создана с использованием 4-нанометрового техпроцесса, скорее всего, из линейки SF4. В качестве сопоставления, Hynix применяет технологию 12 нм на производственных мощностях TSMC.

Samsung планирует использовать более передовые технологии производства, в том числе для разработки полуиндивидуальных решений, если их можно так обозначить. Речь идёт о методе, при котором уникальные для клиента возможности адаптируются и интегрируются непосредственно в логическую структуру кристалла. Это даст Samsung возможность предоставлять заказчикам предложения, которые недоступны у конкурентов.

Похожие статьи

Новый алгоритм Дарвина-Гёделя учит искусственный интеллект самостоятельно программировать.

В США производят эффективные процессоры: тайванские чипы TSMC возвращаются на родину для завершения производства.

В продаже — новая Lada Granta с увеличенным дорожным просветом

Новые модели Kia могут появиться на российском рынке.

Недорогой аналог Toyota Camry с пробегом более 2000 км завоевал популярность

Рамный внедорожник BAW 212 T01 с мощным двигателем: «Китайский УАЗ» с комфортом.