DigitalArtSpace

Samsung начала серийное производство и поставки памяти HBM4. Компания первой в отрасли реализовала эту технологию в готовом к использованию продукте. Ключевым преимуществом новой памяти является применение передового 4-нм техпроцесса для логического слоя и чипов DRAM шестого поколения (1c) с параметром 10 нм, что обеспечило достижение выдающихся показателей без существенной модификации архитектуры.

Скорость передачи данных достигает 11,7 Гбит/с, а при максимальной нагрузке – до 13 Гбит/с. Пропускная способность увеличилась до 3,3 ТБ/с на стек, что в 2,7 раза больше, чем у памяти HBM3E. Эти характеристики необходимы для решения проблем, связанных с ограничениями производительности при обучении масштабных языковых моделей искусственного интеллекта. При этом, несмотря на увеличение числа контактов ввода-вывода вдвое (с 1024 до 2048), разработчикам удалось повысить энергоэффективность на 40%.

В настоящее время Samsung предоставляет варианты с объемом памяти 24 и 36 ГБ (12 слоев), и компания планирует выпустить 16-слойные модули емкостью 48 ГБ в скором времени.

Samsung предвидит значительное увеличение потребности в микросхемах памяти: по оценкам компании, объем продаж HBM в 2026 году превысит показатели 2025 года более чем в три раза. Наряду с наращиванием производства HBM4, Samsung намеревается начать испытания прототипов усовершенствованной версии HBM4E уже во второй половине 2026 года, а с 2027 года – начать производство чипов памяти, разработанных с учетом индивидуальных запросов клиентов.

Похожие статьи

Новый алгоритм Дарвина-Гёделя учит искусственный интеллект самостоятельно программировать.

В США производят эффективные процессоры: тайванские чипы TSMC возвращаются на родину для завершения производства.

В продаже — новая Lada Granta с увеличенным дорожным просветом

Новые модели Kia могут появиться на российском рынке.

Недорогой аналог Toyota Camry с пробегом более 2000 км завоевал популярность

Рамный внедорожник BAW 212 T01 с мощным двигателем: «Китайский УАЗ» с комфортом.