DigitalArtSpace

По данным Korea Economic Daily, Samsung намерен приступить к испытаниям оборудования EUV на своём предприятии Taylor Plant 1 в Техасе уже в марте. Это послужит подготовкой к серийному производству микросхем с использованием передовой технологии 2 нм и транзисторов GAA (Gate-All-Around) в США.

На техасском заводе планируется тестирование основных технологических этапов – нанесения, удаления и формирования слоев с использованием экстремальной ультрафиолетовой литографии. Запуск массового производства запланирован на вторую половину 2026 года. На данный момент не сообщается, будут ли на предприятии производиться процессоры Exynos 2600, но известно, что оно станет производственной площадкой для ИИ-чипов Tesla. Речь идет об однокристальных системах AI5 и AI6, которые Samsung будет выпускать в соответствии с контрактом стоимостью 16,5 млрд долларов, заключенным в прошлом году.

Чтобы ускорить ввод завода в эксплуатацию, Samsung привлекла приблизительно 7 тысяч рабочих. После завершения строительства на предприятии будет работать до 1 тысячи сотрудников, которые разместятся в шестиэтажном производственном здании. Компания также готовится к получению временного разрешения на эксплуатацию, которое потребуется для подтверждения соответствия объекта требованиям пожарной безопасности и другим стандартам. Площадь участка в Техасе (4,85 млн кв. метров) превышает суммарную площадь крупнейших корейских производств Samsung в Пхёнтхэке и Хвасоне.

Для Samsung приобретение EUV-установок от ASML остаётся приоритетным направлением в стратегии развития – стоимость каждой такой установки составляет около 339 млн долларов, или приблизительно 500 млрд вон. Эти вложения имеют решающее значение, так как доля годной продукции, изготовленной по 2-нм техпроцессу, на текущий момент составляет лишь 50%. Улучшение этих показателей необходимо для обеспечения прибыльности полупроводникового подразделения к 2027 году, особенно учитывая убытки в 680 млн долларов, зафиксированные в третьем и четвёртом кварталах 2025 года.

В будущем Samsung намеревается возвести на территории Техаса до десяти производственных объектов. Изначально предполагалось, что завод будет специализироваться на изготовлении чипов по 4-нм техпроцессу, но отказ TSMC от передачи передовых технологий в США предоставил Samsung стратегическую возможность. Первоначальный план предусматривает выпуск до 50 тысяч кремниевых пластин.

Похожие статьи

Новый алгоритм Дарвина-Гёделя учит искусственный интеллект самостоятельно программировать.

В США производят эффективные процессоры: тайванские чипы TSMC возвращаются на родину для завершения производства.

В продаже — новая Lada Granta с увеличенным дорожным просветом

Новые модели Kia могут появиться на российском рынке.

Недорогой аналог Toyota Camry с пробегом более 2000 км завоевал популярность

Рамный внедорожник BAW 212 T01 с мощным двигателем: «Китайский УАЗ» с комфортом.