Компания NEO Semiconductor, занимающаяся производством памяти 3D NAND и 3D DRAM, представила технологию 3D X-AI в качестве альтернативы HBM.
Новая память способна хранить, обрабатывать и генерировать выходные данные без необходимости математических расчётов. Это может быть полезно на рынке вычислений, связанных с искусственным интеллектом. Новая память устраняет проблемы узких мест шины данных при передаче больших объёмов информации между памятью и процессором.
Чип 3D X-AI оснащен выделенным слоем нейронной сети. В составе одного кристалла – 300 слоев ячеек 3D DRAM объемом 128 Гбит и слой нейронной сети с 8000 нейронами. По прогнозам NEO, это обеспечивает скорость до 10 ТБ/с на кристалл. Соединение двенадцати кристаллов 3D X-AI в стек HBM дает производительность обработки 120 ТБ/с, что увеличивает эффективность в 100 раз.
Компания пока не упоминает о коммерциализации памяти, однако продемонстрировала её на мероприятии FMS.