Intel представила Z-Angle Memory: новая технология ускорит работу нейронных сетей

Intel планирует вновь войти в рынок производства оперативной памяти. В рамках сотрудничества с Saimemory, подразделением японского холдинга SoftBank, была разработана технология ZAM (Z-Angle Memory). Название отражает ключевую особенность архитектуры: в традиционных стековых модулях памяти соединения располагаются вертикально между слоями, тогда как в ZAM применяется ступенчатая структура с диагональными соединениями между чипами.

Источник изображения: img.freepik.com

Ключевые инженерные решения ZAM:

Использование гибридных соединений на основе меди обеспечивает объединение слоев кремния в единую, цельную конструкцию, что способствует уменьшению теплового сопротивления;
Сокращение числа конденсаторов позволяет упростить конструкцию и увеличить плотность компоновки ячеек;
Благодаря технологии Intel Embedded Multi-die Interconnect Bridge (EMIB), память интегрируется с ИИ-чипом, что гарантирует оперативную передачу данных.

По предварительным сведениям, ZAM будет потреблять на 40–50% меньше энергии, чем HBM. Один чип может содержать до 512 ГБ памяти, а диагональные соединения облегчают сборку многослойных конструкций.

Для Intel повторное появление на рынке оперативной памяти будет представлять собой своего рода возвращение к истокам: компания практически не работала с DRAM с 1985 года, когда оставила этот рынок, столкнувшись с конкуренцией со стороны японских производителей. В настоящее время, в связи с ростом популярности искусственного интеллекта, Intel планирует вновь занять важное место в этой сфере. SoftBank, в свою очередь, собирается применять ZAM в своих специализированных процессорах (ASIC) семейства Izanagi.

Не пропустите: ASRock представила материнскую плату H610M Combo с поддержкой DDR5-4800 и DDR4-2666, отмеченную Intel

DigitalArtSpace

Intel представила Z-Angle Memory: новая технология ускорит работу нейронных сетей

Свежие записи

Пишем о железе, софте и всём, что между ними.