Создан сверхтонкий носитель памяти, не требующий ферроэлектриков

Сотрудники DGIST (Южная Корея) под руководством профессора Ёнгука Кима в соавторстве с учеными из KAIST предложили инновационную концепцию памяти для ультратонких приборов. В рамках исследования была создана конструкция, состоящая из слоя гексагонального нитрида бора (hBN), расположенного между графеном и α-RuCl ₃.

При такой «сэндвичной» структуре на стыке материалов возникает спонтанное образование электрических диполей, способных к переключению и пригодных для хранения данных — подобно тому, как это происходит в обычных ферроэлектриках, однако без присущих им ограничений.

Источник изображения: img.freepik.com

Исследования продемонстрировали, что память сохраняет свои функции даже при температуре минус 243 градуса ^°Модуль имеет объем 30 килобайт и способен удерживать информацию в течение более чем пяти месяцев без подключения к источнику питания. Переключение осуществляется исключительно при помощи электрических сигналов, что исключает влияние магнитных полей и обеспечивает стабильность и экономичность работы технологии.

Это событие имеет значение для разработки принципиально новых видов памяти, предназначенных для квантовых компьютеров, а также для создания сверхэкономичной электроники.

Не пропустите: Обнаружили прототип GTX 2080 Ti с увеличенным объёмом памяти

DigitalArtSpace

Создан сверхтонкий носитель памяти, не требующий ферроэлектриков

Свежие записи

Пишем о железе, софте и всём, что между ними.