Компания Naura Technology Group, базирующаяся в Китае и специализирующаяся на производстве оборудования для полупроводниковой промышленности, заявила о создании двухступенчатой методики травления.
Данная технология может найти применение при изготовлении чипов 3D DRAM. Согласно информации, предоставленной компанией, разработанный процесс обеспечивает равномерное удаление материала из структур, состоящих как минимум из 64 пар слоев, и открывает возможности для увеличения плотности памяти за счет вертикального наращивания.

Технология 3D DRAM рассматривается как одно из многообещающих направлений в области развития оперативной памяти. Аналогично ситуации с 3D NAND, производители постепенно отказываются от преимущественно горизонтального уменьшения размеров элементов и переходят к формированию многослойных вертикальных конструкций. Для китайской полупроводниковой индустрии такой подход имеет особое значение, учитывая ограниченные возможности доступа к современному оборудованию EUV-литографии.

Разработанный Naura процесс предназначен для обработки многослойных структур, состоящих из чередующихся слоев кремния (Si) и кремний-германия (SiGe). В процессе создания 3D DRAM определенные слои SiGe необходимо выборочно удалять, формируя пространство для размещения будущих ячеек памяти. Ключевая сложность заключается в обеспечении равномерного травления глубокой структуры без повреждения расположенных между слоями участков кремния.

Naura предложила разбить процесс на два последовательных этапа. На первом этапе нейтральные фторсодержащие радикалы в основном взаимодействуют с SiGe, оказывая минимальное воздействие на кремний. Последующий этап включает плазменную очистку, предназначенную для удаления продуктов реакции. Без этой процедуры они способны накапливаться внутри структуры, что может затруднить равномерное травление нижних слоев.

Согласно данным, предоставленным Naura Technology Group, отношение скорости удаления SiGe к скорости удаления кремния составляет более 500:1 – это означает, что кремний-германий удаляется в 500 раз быстрее. Для структуры из 64 пар слоев заявлен уровень равномерности обработки, превышающий 95%.

Данная разработка может представлять интерес для китайских компаний, занимающихся производством памяти, в частности, для CXMT, стремящейся уменьшить разрыв между своими показателями и результатами Samsung, SK hynix и Micron. В будущем вертикальное масштабирование потенциально позволит повысить плотность DRAM без существенной зависимости от дальнейшего уменьшения размеров элементов посредством применения передовой литографии.