Компания CXMT (ChangXin Memory Technologies), базирующаяся в Китае, приступила к созданию новой линейки DRAM, применяя технологию гибридного соединения полупроводниковых пластин. Эта методика, как ожидается, обеспечит существенное увеличение плотности и улучшение рабочих характеристик памяти без необходимости использования дорогостоящего оборудования EUV.

В рамках инновационного подхода отменены привычные микросоединения. Вместо этого два кремниевых диска соединяются непосредственно друг с другом, что уменьшает протяженность электрических путей, снижает потребление энергии и задержки сигнала, а также открывает возможность размещения большего объема памяти на единицу площади кристалла.

По имеющимся сведениям, CXMT уже проводит тестирование новой технологии в опытной производственной зоне в городе Хэфэй. Параллельно компания разделяет изготовление структуры ячеек памяти и контрольной логики между разными пластинами, что даёт возможность применять различные технологические процессы для каждого элемента и оптимизировать процесс производства.

Ранее сообщалось, что Apple рассматривает CXMT Многие компании рассматривают CXMT как перспективного поставщика DRAM. Главным же мотивом является не стремление к удешевлению продукции, а необходимость диверсификации каналов поставок в связи с дефицитом чипов памяти, спровоцированным высоким потреблением со стороны центров обработки данных для задач искусственного интеллекта.