Intel объявила об успешном решении ряда инженерных проблем, что открывает возможности для производства не просто крупных, но действительно гигантских микросхем. При этом подразумеваются чиплетные конструкции, а не цельные кристаллы.

На производственных мощностях Intel в Рио-Ранчо, расположенном в штате Нью-Мексико, инновационные методы сборки увеличивают максимальный размер используемых фотошаблонов. Это позволит расширить габариты корпусов во восемь раз по сравнению с текущими отраслевыми стандартами и более чем на 12 – к 2028 году.

Мы переходим от эпохи одиночных, крупных чипов к архитектуре из множества отдельных элементов, подобно керамическому панно. В этой схеме специализированные компоненты объединяются в едином большом корпусе.

Современные технологии упаковки дают возможность значительно увеличить размер фотошаблона и разместить большее количество микросхем на одном носителе. Однако существуют ограничения, которые Intel смогла преодолеть.

Представители организации сообщили о прогрессе в создании особо крупных корпусов (HLFF). Размеры этих конструкций достигнут 240 x 240 миллиметров, что позволит увеличить размер фотошаблона в 24 раза – показатель, не имеющий аналогов среди других производителей. В частности, специалисты Intel Foundry разработали методику герметизации без образования воздушных пробок, которая успешно применена для корпусов с семью кристаллами и позволяет устранить одну из ключевых сложностей при изготовлении HLFF.

Помимо этого, инженеры работали над предотвращением деформаций, возникающих вследствие значительной площади подложки. Следует вспомнить, что прочность материала была одним из факторов, вынудивших Nvidia отказаться от разработки чипа Rubin Ultra с двумя графическими процессорами на одной пластине.

Подобные масштабные решения в первую очередь востребованы для применения в сфере искусственного интеллекта. Технологии Intel дают возможность изготавливать микросхемы, где несколько вычислительных модулей и большое количество чипов памяти могут быть расположены непосредственно на одном носителе.