На прошлой неделе появилась информация о планах Intel по запуску принципиально нового вида памяти Z-Angle Memory (ZAM). В настоящее время компания представила прототип подобного чипа.

Мероприятие Intel Connection Japan 2026 стало площадкой для демонстрации новой технологии. В центре внимания была архитектура Z-Angle, призванная уменьшить ограничения производительности и снизить тепловыделение в существующих разработках.

Ключевым отличием данной разработки является использование ступенчатой топологии межсоединений, которая располагает соединения по диагонали внутри кристалла, а не прокладывает их вертикально вниз. Intel утверждает, что наиболее значительным преимуществом является улучшение тепловых показателей ZAM. Предварительные результаты свидетельствуют о том, что ZAM будет потреблять на 40–50% меньше энергии по сравнению с HBM, которую она потенциально может заменить. Объем памяти на одном чипе может составлять до 512 ГБ.

Показ прототипа, однако, не был приурочен к какому-либо конкретному событию. Отсутствует информация о сроках появления данной памяти в продаже, её цене и планирует ли Intel самостоятельно выпускать продукцию.