В онлайн-ресурсах появилась фотография однокристальной системы SM8975 – будущей флагманской платформы Qualcomm под названием Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro. Опубликованные изображения демонстрируют изменения в архитектуре чипа, которые могут оптимизировать систему охлаждения и способствовать поддержанию высокой производительности мобильных устройств при интенсивных нагрузках.

Ключевое изменение заключается в вероятном отказе от привычной схемы Package-on-Package (PoP), предполагающей размещение микросхем оперативной памяти непосредственно над процессором. Согласно представленной фотографии, в Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro модуль DRAM расположен сбоку относительно SoC.

Данное решение высвобождает верхнюю поверхность процессора и открывает возможности для более эффективного рассеивания тепла от кристалла. Улучшенная система теплоотвода должна позволить центральному и графическому процессорам дольше поддерживать высокие тактовые частоты. Это особенно актуально для флагманских систем-на-чипе: они могут демонстрировать впечатляющие результаты в краткосрочных тестах, однако длительная нагрузка (например, игровые сессии) может вызвать перегрев, приводящий к троттлингу и снижению частоты.

Однако существует и обратная сторона медали. Новая компоновка приведет к увеличению габаритов SoC и, соответственно, площади, которую она занимает на печатной плате смартфона. Разработчикам необходимо будет учитывать этот фактор при проектировании внутренних компонентов, чтобы разместить платформу без ущерба для ёмкости аккумуляторной батареи или функциональности камеры.

На представленной фотографии присутствуют маркировки SM8975 и 101-BC. Согласно имеющимся сведениям, данная конфигурация предполагает использование памяти типа LPDDR5X, однако также планируется выпуск модификации с системой на кристалле (SoC), которая будет взаимодействовать с оперативной памятью стандарта LPDDR6.